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型号 PSMN9R1-30YL,115
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 57A SOT669
PSMN9R1-30YL,115 PDF
代理商 PSMN9R1-30YL,115
产品目录绘图 MOSFET LFPAK-4
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 9.1 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 894pF @ 15V
功率 - 最大 52W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装 LFPAK，Power-SO8
包装 标准包装
其它名称 568-6905-6
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